芯能推出的IGBT模块采用沟槽结构的场截止技术（Trench Field Stop），沟槽元胞结构大大增加器件的功率密度，通过超薄片工艺制程（Ultra Thin Wafer Process）在芯片集电极端使用电场截止型（Field Stop）结构，从而显著降低器件的饱和导通压降（Vce（sat））和关断损耗（Eoff），对比上一代产品，器件功率损耗（导通损耗与开关损耗之和）降低了33%，配合搭载独立的等电压快速恢复二极管（FRD），适宜于各类开关应用。 模块采用标准封装，产品在严酷的环境下具有稳定一致的电参数和牢固的可靠性。

特点与优势：

• 低饱和导通压降（Vce（sat））;
• 低开关损耗（Ets）;
• 高击穿电压（BVces）;
• 高短路电流耐量（Icsc）;
• 电参数重复性与一致性；
• 高可靠性。