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深圳芯能半导体技术有限公司
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IGBT单管 IPM IGBT模块 驱动IC
PQFN8*9 产品介绍

PQFN IPM基于高效率、超紧凑和高度集成的PQFN封装，采用PCB铜箔散热，省掉了外部散热器。同时也提供了一个新的基准，在尺寸上可与任何同类竞争解决方案相匹敌。主要适用于吹风筒等空间要求苛刻的应用，功率范围为100W以下。


PQFN8*9 IPM特点与优势：

  • 其它封装模块在PCB散热方面较差，而耗散功率的唯一方法是通过一个外部散热器实现，但这却增加了成本并带来了振荡和其它的物理压力；
  • PQFN IPM电流能力还取决于PCB设计，特别是铜板厚度、铜盘区域和层数，并最终取决于最大可允许的PCB温度；
  • 尤其适用于空间、面积小的应用，替代传统小功率方案，不需要散热器；
  • 半桥结构，应用更灵活；
PQFN8*9
产品参数
封装形式 产品型号

电压
(V)

电流
(A)

绝缘耐压
(KV)

优化开关
（KHz）

器件

推荐功率
(W)

热接口

自举
二极管

欠压
保护

过流
保护

温度
输出

互锁

RDS(on)(Typ)
(Ω)
VCE
(SAT)(Typ)
(V)

VF
(Typ)
(V)

Rth
(j-c)(Max)
(℃/W)

PQFN8*9 XNM03H54D5 500 3 1.5 20 MOSFET 50 PCB 是 是 否 否 是 3 1.5 1.6
XNM05H54D5 500 5 1.5 20 MOSFET 120 PCB 是 是 否 否 是 1.6 1.5 1.25
XNS04H54D6 600 4 1.5 20 IGBT 60 PCB 是 是 否 否 是 2.4 1.3 2
XNS06H54D6 600 6 1.5 20 IGBT 150 PCB 是 是 否 否 是 2.1 1.4 1.3

产品应用