新品发布
芯能半导体新推出一款采用DFN5*6-8L封装的4.7mΩ的60V MOS产品：XNDR5N06M。该产品具有高功率密度设计、低导通电阻、低栅极电荷和栅极电阻的特点，适合应用在电机控制器、不间断电源等领域。
01
产品特性
芯能的XNDR5N06M 经过100%的雪崩测试，从而提高整体的可靠性；冲击能力强，适用于电机驱动应用；同时DFN5*6封装可以节省PCB空间，可直接通过PCB散热，4.7mΩ低导通电阻，为较低温升提供保证。具备较低的开关损耗，确保高速电机应用中提高能效和功率密度，改善电磁干扰（EMI）并更容易进行PCB设计。
02
吸尘器方案
采用集成预驱Cortex-M4核的UCM32M4371A MCU控制,其具备120MHz处理能力，配合芯能功率MOS XNDR5N06M提供优化成熟的高速吸尘方案。
方案优势特点
1
输入电压：8-36V
2
驱动方式:单电阻无感FOC旋波
3
转速：150000 RPM
4
支持恒功率、恒速度控制
5
支持过温、过压、欠压、过流、堵转、短路等故障保护
方案可提供
1
演示板进行功能测试验证（方便快速的性能验证）
2
功率、驱动和控制一整套芯片，产品方框图、电路图、PCBA等技术资料（成套解决方案资料，缩短客户量产周期）
扫码进入芯能商城购买样品
※ ：产品具体信息可向我司销售人员咨询或索取产品规格书（service@invsemi.com）。
