概要
IPM23_MOS方案时隔1年再次相见，我们新品优化了产品性能，优化的产品成本架构，产线扩线产能保证。
新发布的智能功率模块采用芯能新一代自研驱动IC和MOSFET芯片，包含全功能驱动与高性能逆变输出，为交流感应电机、BLDC无刷直流电流与PMSM永磁同步电机等高频应用提供了更适配的选项。
IPM23_MOS新系列产品内部驱动集成了自举电路、防直通互锁、欠压保护与温度输出功能，优化的高压栅极驱动配合內集成快速恢复二极管的MOSFET，极大地改善产品工作EMI与开关损耗。产品封装采用框架全塑封结构，模块体积小、功能齐全、功率密度高、热阻小，绝缘等级能满足各种装配场景需求。
目前产品的规格等级有3A/500V和5A/500V，型号为XNM50350ATS和XNM50550ATS。
1、内置高压栅极驱动，配套芯片完全国产化
2、三相全桥逆变拓扑，适用于各类电机驱动场景
3、优化驱动与MOSFET开关，降低开关损耗与优化EMI特性
4、驱动集成自举电路，内置限流保护电阻，集成度更高
5、内置欠压保护、过流保护，互锁及温度输出(VOT)
6、完全兼容3.3V和5V驱动输入信号
7、绝缘电压等级：1500Vac
解决问题
01
与主流产品完全兼容
02
集成多重保护功能
集成自举电路、欠压保护、防直通互锁、温度输出功能
03
开关损耗小，适用高频应用
电流等级可达5A，功率密度高、热阻小
※产品具体信息可向我司销售人员咨询或索取产品规格书(service@invsemi.com)。
